텅스텐이 도핑된 산화 그래핀 필름 및 이의 제조 방법, 이를 포함하는 전자 방출기

● 발명자 : 박건식, 사토로프맛랍전, 홍동표, 라나조이바타차랴
● 등록(출원)번호 : 1020190170469 (2019.12.19)
● 특허 유형 : 대한민국 특허 공개

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 텅스텐 도핑된 산화 그래핀의 제조 방법은 산화 그래핀 용액과 WO3 용액을 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계, 상기 혼합 용액을 수열처리하여 텅스텐 도핑된 산화 그래핀을 형성하는 단계 및 상기 텅스텐 도핑된 산화 그래핀을 800℃ 내지 1200℃의 온도에서 열처리하는 단계를 포함한다. 본 실시예에 따른 제조 방법은 산화 그래핀의 물리적 특성을 향상시킴으로써 고주파 전자 장치에 대한 전류 밀도 제한을 극복하여 전반적인 전류 용량을 향상시키고, WO3 나노 입자 도핑을 사용하여 산소 및 기타 오염 물질을 감소시킬 수 있다. 또한 텅스텐은 융점이 높고 기계적 강도가 강하기 때문에 매우 높은 방출 동안 산화 그래핀 필름을 안정적으로 유지할 수 있다.